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n沟 mos

MOS依照其“通道”的极性不同,可分为'N"沟与‘p“沟的MOSFET, 结构 如图是典型平面N沟道增强型MOSFET的剖面图。它用一块P型硅半导体材料作衬底(图la),在其面上扩散了两个N型区(图lb),再在上面覆盖一层二氧化硅(SiO2)绝缘层(图1c),最后在...

第一步:选用N沟道还是P沟道为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道 MOS管。在典型的功率应用中,当一个MOS管接地,而负载连接到干线电压上时,该 MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中,应采用N沟道MOS管,这是出于对关闭或导...

前面两级反向是保证相位正常,管三是低电平有效。。。。。。

MOS管(场效应管)的导通压降下,导通电阻小,栅极驱动不需要电流,损耗小,驱动电路简单,自带保护二极管,热阻特性好,适合大功率并联,缺点开关速度不高,比较昂贵。 三极管开关速度高,大型三极管的Ic可以做的很大,缺点损耗大,基极驱动电流...

G:gate 栅极S:source 源极D:drain 漏极 MOS管是金属(Metal)—氧化物(Oxid)—半导体(Semiconductor)场效应晶体管。市面上常有的一般为N沟道和P沟道。N沟道的电源一般接在D,输出S,P沟道的电源一般接在S,输出D。

1. 源极和衬底连接是MOS管的一种用法。两者相连时相当于pn结(衬底-源)上接零电压,pn结耗尽区中漂移流与扩散流平衡,pn结上总电流为零。 2. 栅源不加电压时,沟道不开启,不会有漏源电流。漏-衬底-源寄生三极管无电流的原因是:在正常工作条件...

指针表判断N-P沟方法(10K档):N沟MOS管:红表笔接(D),黑表笔接(S),指针满偏。P沟MOS管:跟N沟MOS管测量现象相反。数字表判断N-P沟方法(二极管档):N沟MOS管:黑表笔接(D),红表笔接(S),显示500左右数字。P沟MOS管:跟N沟MOS管测量...

其实很好区分 N行电流电压是正的 P型是负的 功放机比较常用 所谓的对管

二者的主要驱动在于驱动电平 一般N管常用

NMOS增强型,ugs(th)一般是正数,最常见的是在2-4V之间,正常导通时的UGS一定大于Ugs(th),因此也一定是一个正数。 耗尽型的不称为ugs(th),而是ugs(off),也就是夹断电压,这个值通常是一个负数。也就是说,只要UGS>UGS(off)就可以导通,这个数...

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